齐星新材料T500低成本镍钴锰酸锂核心技术：
项目采用程序升温的新型工艺技术，根据三元晶体的生长特点，在晶体生成的不同阶段采用不同的温度及升温速度。在晶体颗粒形成初期采用隧道窑低温烧结，可以有效保持材料微小晶粒的生成，避免高温引起的颗粒团聚。当小晶体稳定生长时采用辊道窑高温烧结加速生长，高温保证了材料生长的一致性。高温烧结后材料晶化程度提高，晶体结构更完整、稳定，晶体结构平稳过渡，实现镍、钴、锰整体结构规范，提高其综合性能。
齐星新材料T500低成本镍钴锰酸锂创新点：
齐星新材料T500低成本镍钴锰酸锂采用纳米氧化物包覆对523三元正极材料进行表面包覆改性，以提高材料的首次放电效率、循环过程中的结构稳定性及安全性。纳米氧化物包覆层可以有效隔离正极材料和电解液，减少了两者之间的副反应，同时形成了最优的固体电解质界面膜（SEI膜），促进锂离子在放电过程及随后循环过程中的传输，提升材料的导电能力，改善材料的倍率性能和循环性能。